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HSCA8220
双N沟道快速开关MOSFET，适用于小功率开关和负载开关应用
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSCA8220
- 商品编号
- C53244004
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 18V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.157nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 366pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 482pF |
商品概述
HSCA8220是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 提供绿色环保器件选项
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制能力
- 具备ESD保护
- 采用先进的高单元密度沟槽技术
- 表面贴装于1英寸×1英寸FR4电路板上，脉冲宽度≤10秒
- 脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
- 由设计保证，不进行生产测试