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HSBA4072C
N沟道快速开关MOSFET，具备高单元密度SGT技术，低栅极电荷，出色的CdV/dt效应抑制
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA4072C
- 商品编号
- C53244009
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1545克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 857pF |
商品概述
HSBA4072C 是一款高单元密度的 SGT N 沟道 MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供了优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合 RoHS 和无卤环保产品要求，并经过全面功能可靠性验证，确保 100% 的单脉冲雪崩能量能力。
商品特性
- 保证 100% 单脉冲雪崩能量
- 提供环保型器件
- 超低栅极电荷
- 优异的 CdV/dt 效应抑制能力
- 先进的高单元密度 SGT MOS 技术