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HSBA075N04
N沟道快速开关MOSFET，采用先进SGT MOS技术，低栅极电荷、高电流能力，符合RoHS和无卤标准
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA075N04
- 商品编号
- C53244010
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 255A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.309nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.622nF |
商品概述
该产品经过100% UIS测试，采用先进的SGT MOS技术，具有低栅极电荷和高电流能力，符合RoHS和无卤素要求。
应用领域
- SMPS同步整流
- DC/DC转换器
- ORING
- UAV ESC