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HSBA6064
N沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，低栅极电荷和低导通电阻
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBA6064
- 商品编号
- C53244011
- 商品封装
- PRPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.189nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 405pF |
商品概述
该器件采用先进的沟槽MOS技术，具备低栅极电荷和低导通电阻，提供100% EAS保证，并提供绿色环保器件。
应用领域
- 电机控制
- DC/DC转换器
- 同步整流应用