- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSBB6258
双N沟道快速开关MOSFET，适用于负载开关、电池保护、照明等
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- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSBB6258
- 商品编号
- C53244005
- 商品封装
- PRPAK-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 512pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF |
商品特性
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度SGT MOS技术
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 照明
- 桥式拓扑