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BSC040N10NS5(ES)实物图
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BSC040N10NS5(ES)

N沟道,100V,184A,3.6mΩ@10V,30A,2.9V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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描述
N沟道,100V,184A,3.6mΩ@10V,30A,2.9V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
BSC040N10NS5(ES)
商品编号
C53199056
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.134669克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)184A
导通电阻(RDS(on))3.6mΩ@10V
耗散功率(Pd)156W
阈值电压(Vgs(th))2.9V
栅极电荷量(Qg)70nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.767nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.383nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

BSC040N10NS5(ES) 是一款 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,提供优异的 RDS(ON) 和低栅极电荷。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。

商品特性

  • 额定电压 100V,典型导通电阻 RDS(ON) 为 3.6mΩ(VGS=10V 时)
  • 高密度单元设计,实现低导通电阻
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低漏电流

应用领域

  • PWM 应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式电脑的电源管理
  • DC/DC 转换

数据手册PDF