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DMG2305UX-13(ES)
P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG2305UX-13(ES)
- 商品编号
- C53199116
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 185pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
该器件为P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
商品特性
- 典型条件下，当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) = 118 mΩ
- 典型条件下，当VGS = -1.8 V时，RDS(ON) = 180 mΩ
- 快速开关
- 高密度元胞设计，实现低导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠且坚固
- 具有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- DC/DC转换