温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN65D8L-7(ES)
带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 带ESD防护，N沟道，60V，0.5A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMN65D8L-7(ES)
- 商品编号
- C53199120
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.85Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
DMN65D8L-7(ES)是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMN65D8L-7(ES)为无铅产品。
商品特性
- 60V，典型条件下，当VGS=10V时，导通电阻为1.85Ω
- 典型条件下，当VGS=4.5V时，导通电阻为2.05Ω
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度元胞设计，实现低导通电阻
- ESD保护 - 人体模型：2kV
- 材料：无卤
- 可靠且坚固
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- 脉宽调制应用
- 负载开关
- 便携式/台式个人电脑的电源管理
- DC-DC转换