- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFB4115PBF(ES)
N沟道，150V，80A，11.5mΩ@10V,30A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- N沟道，150V，80A，11.5mΩ@10V,30A，3.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRFB4115PBF(ES)
- 商品编号
- C53199122
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRFB4115PBF(ES)是一款N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。它采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的导通电阻。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品IRFB4115PBF(ES)为无铅产品。
商品特性
- 150V电压，在栅源电压为10V时，典型导通电阻为11.5mΩ
- 可靠耐用
- 高密度元胞设计实现低导通电阻
- 具备雪崩额定值
- 材料：无卤
- 低漏电流
应用领域
- 脉宽调制应用
- 负载开关
- 便携式/台式个人电脑中的电源管理
- 直流/直流转换