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DMG1013T-7(ES)
带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.5A，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th)：-0.7V
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- 描述
- 带ESD防护 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-0.5A，功率(Pd)：300mW，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：580mΩ@-4.5V,阈值电压(Vgs(th)：-0.7V
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMG1013T-7(ES)
- 商品编号
- C53199111
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
DMG1013T-7(ES)是一款P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的导通电阻。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMG1013T-7(ES)为无铅产品。
商品特性
- 20V， RDS(ON) = 580mΩ (典型值)， VGS = -4.5V
- RDS(ON) = 855mΩ (典型值)， VGS = -2.5V
- RDS(ON) = 1350mΩ (典型值)， VGS = -1.8V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠且坚固
- 具有雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式个人电脑的电源管理
- DC/DC转换