- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD19538Q3A(ES)
N沟道，100V，17.5A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- N沟道，100V，17.5A，37mΩ@10V,10A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- CSD19538Q3A(ES)
- 商品编号
- C53199115
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.982nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD19538Q3A(ES)是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品CSD19538Q3A(ES)为无铅产品。
商品特性
- 100V，典型导通电阻为37 mΩ @ VGS = 10V
- 典型导通电阻为39 mΩ @ VGS = 4.5V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度元胞设计，实现低导通电阻
- 材料：无卤素
- 可靠且坚固
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换