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CSD18534Q5A(ES)

N沟道,60V,37A,9mΩ@10V,20A,1.45V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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描述
N沟道,60V,37A,9mΩ@10V,20A,1.45V@250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
CSD18534Q5A(ES)
商品编号
C53199109
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)37.1A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@10V
耗散功率(Pd)32.8W
阈值电压(Vgs(th))1.45V
栅极电荷量(Qg)33nC
属性参数值
输入电容(Ciss)915pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)370pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

CSD18534Q5A(ES) 是一款 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管。它采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷下实现了优异的导通电阻。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。

商品特性

  • 60V 电压等级,典型条件下,在 VGS = 10V 时,RDS(ON) = 9 mΩ
  • 典型条件下,在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 12 mΩ
  • 采用高密度单元设计以实现低 RDS(on)
  • 材料:无卤
  • 可靠且坚固耐用
  • 具有雪崩额定能力
  • 低漏电流

应用领域

  • 脉宽调制应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式电脑的电源管理
  • 直流/直流转换

数据手册PDF