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IRF7341TRPBF(ES)
2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
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- 描述
- 2个N沟道，5A，30mΩ@10V,5A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- IRF7341TRPBF(ES)
- 商品编号
- C53199110
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
IRF7341TRPBF(ES)是一款N沟道增强型MOSFET。它采用先进的沟槽技术和设计，以提供优异的Rds(on)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
商品特性
- 60V，典型值下，当Vgs=10V时，Rds(on)=30mΩ；当Vgs=4.5V时，Rds(on)=36mΩ
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计，实现低Rds(on)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC转换