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IR25602STRPBF

半桥驱动器

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描述: IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IR25602STRPBF
商品编号: C537635
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

商品概述

IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压范围为10至600V。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计
可在高达+600V的电压下完全正常工作
耐受负瞬态电压
抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为10至20V
欠压锁定功能
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
内部设置死区时间
高端输出与输入同相
关断输入可关闭两个通道
两个通道的传播延迟匹配

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	270mA
	拉电流(IOH)	130mA
	工作电压	10V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	100ns
	下降时间(tf)	50ns
	传播延迟 tpLH	680ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	150uA