温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPZ65R045C7
650V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优点，提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和出色的可靠性。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZ65R045C7
- 商品编号
- C537517
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,24.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.34nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.63nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。 CoolMOS™ C7 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 增强了 MOSFET 的 dv/dt 鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss 和 RDS(on) * Qg 实现更高效率
- 同类最佳的 RDS(on)/封装
- 由于设有驱动源极引脚，便于更好地控制栅极，因此易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合 JEDEC（J-STD20 和 JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 例如计算机、服务器、电信、UPS 和太阳能等领域的 PFC 级和硬开关 PWM 级。