IPZA60R099P7
1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPZA60R099P7
- 商品编号
- C537525
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,10.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 117W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.952nF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它将快速开关SJ MOSFET的优势与出色的易用性相结合，例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换流时具有出色的鲁棒性以及优异的ESD能力。此外，极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑，且发热更低。
商品特性
- 由于具有出色的换流鲁棒性，适用于硬开关和软开关（PFC和LLC）
- 显著降低开关损耗和传导损耗
- 所有产品的ESD鲁棒性均优于2kV（HBM）
- 低RDS(on)A（低于1Ωmm²）使得与竞品相比，具有更好的RDS(on)/封装产品
- 完全符合JEDEC工业应用标准
应用领域
- 用于PC电源、适配器、LCD和PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。