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IRF60DM206
1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
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- 描述
- 特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF60DM206
- 商品编号
- C537775
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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