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IRF6894MTRPBF
1个N沟道 耐压:25V 电流:37A
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- 描述
- IRF6894MPbF 将最新的 HEXFET® 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO-8 封装尺寸且高度仅为 0.7 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET™ 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6894MTRPBF
- 商品编号
- C537807
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V,37A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.232nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF6894MPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET™封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET™封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统的热传递效率，将先前的最佳热阻降低80%。 IRF6894MPbF在实现行业领先的导通电阻的同时，将栅极电荷降至最低，并具有低栅极电阻，从而降低了传导损耗和开关损耗。该器件集成了肖特基二极管，可降低体漏二极管的反向恢复电荷Qrr，进一步减少同步降压电路中的损耗。这些降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载（如新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6894MPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 集成单片肖特基二极管
- 低外形（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 封装电感低
- 针对高频开关进行优化
- 传导损耗和开关损耗低
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行栅极电阻测试
- 封装尺寸与DirectFET兼容
应用领域
- CPU核心DC-DC转换器-同步降压转换器的同步FET插槽