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IRF7501TRPBF
停产 耐压:20V 电流:2.4A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可广泛应用于各种领域。全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8的一半，是小外形集成电路（SOIC）轮廓中占位面积最小的封装
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7501TRPBF
- 商品编号
- C537816
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@4.5V,1.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装。这使得Micro8成为印刷电路板空间宝贵的应用的理想器件。Micro8封装的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子产品和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超小SOIC封装
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅