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IRF8302MTRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:31A 190A
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- 描述
- IRF8302MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了极低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，比之前最佳的热阻降低了80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8302MTRPBF
- 商品编号
- C537837
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A；190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V；2.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 1.36nF |
商品概述
IRF8302MPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有SO - 8尺寸和仅0.7 mm厚度的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，将先前最佳的热阻降低80%。 IRF8302MPbF在实现行业领先的导通电阻的同时，最小化栅极电荷，并具有超低的封装电感，以降低传导损耗和开关损耗。该器件集成了肖特基二极管，可降低体漏二极管的反向恢复电荷（Qrr），进一步减少同步降压电路中的损耗。这些降低的损耗使该产品非常适合为高电流负载（如最新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF8302MPbF针对同步降压转换器同步FET插槽的关键参数进行了优化。
商品特性
- 符合RoHS标准且无卤
- 集成单片肖特基二极管
- 超薄（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
应用领域
- CPU核心DC-DC转换器-同步降压转换器的同步FET插槽