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IRF830PBF
耐压:500V 电流:4.5A
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- 描述
- 第三代 HEXFET 为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功耗约达 50 瓦的商业 - 工业应用，TO - 220 封装是普遍首选。TO - 220 封装的低热阻和低成本促使其在整个行业得到广泛应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF830PBF
- 商品编号
- C537840
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.77克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,2.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF@0V | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代HEXFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于所有功耗水平约为50W的商业和工业应用，TO - 220封装是普遍首选。TO - 220的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛接受。
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 无铅