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IRF9530NSTRRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF9530NSTRRPBF

1个N沟道 耐压:100V 电流:14A

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商品型号
IRF9530NSTRRPBF
商品编号
C537850
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V,8.4A
耗散功率(Pd)3.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)58nC
输入电容(Ciss)760pF
反向传输电容(Crss)170pF@100V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。 D2Pak是一种表面贴装功率封装,能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低,D2Pak适用于大电流应用,在典型的表面贴装应用中可散热达2.0W。 通孔版本(IRF9530NL)适用于薄型应用。

商品特性

  • 先进的工艺技术
  • 表面贴装(IRF9530NS)
  • 薄型通孔(IRF9530NL)
  • 175°C工作温度
  • 快速开关
  • P沟道
  • 全雪崩额定
  • 无铅

数据手册PDF