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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 206A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅
应用领域
-开关电源中的高效同步整流-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路