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IRFBA1404PPBF
耐压:40V 电流:206A
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- 描述
- 这款HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，以实现每单位硅片面积极低的导通电阻。该MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度，以及在单次和重复雪崩情况下增强的耐用性。Super-220TM封装的机械外形和引脚排列与行业标准的TO-220相同，但能容纳更大的硅芯片
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFBA1404PPBF
- 商品编号
- C537879
- 商品封装
- Super-220(TO-273AA)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 206A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,95A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度以及在单次和重复雪崩情况下增强的耐用性。Super - 220封装的机械外形和引脚排列与行业标准TO - 220相同，但能容纳更大的硅芯片。因此，与TO - 220和更大的TO - 247封装相比，其电流处理能力显著提高。极低导通电阻的硅芯片与Super - 220封装相结合，使其非常适合减少多并联TO - 220应用中的元件数量、降低系统功耗、升级现有设计，或在TO - 220外形中实现TO - 247的性能。这些优势使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
商品特性
- 超低导通电阻
- 增强的电流处理能力
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 动态dv/dt额定值
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
应用领域
- 工业电机驱动