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IRFBA1405PPBF
IRFBA1405PPBF
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFBA1405PPBF
- 商品编号
- C537880
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V,101A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
HEXFET功率MOSFET的条形平面设计采用了最新的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。该MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度，以及在单次和重复雪崩情况下增强的耐用性。Super-220封装的机械外形和引脚排列与行业标准TO-220相同，但可以容纳更大的硅芯片。因此，与TO-220和更大的TO-247封装相比，其电流处理能力显著提高。极低导通电阻的硅芯片与Super-220封装相结合，使其非常适合减少多并联TO-220应用中的元件数量、降低系统功耗、升级现有设计，或在TO-220外形中实现TO-247的性能。该封装设计符合汽车Q101资质标准。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
应用领域
- 工业电机驱动