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IRFH8330TRPBF
HEXFET功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低热阻至PCB (< 3.6℃/W)。 低外形 (< 1.2mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 RoHS合规，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，消费级认证。应用：高频降压转换器的控制MOSFET。 高频降压转换器的同步MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH8330TRPBF
- 商品编号
- C537905
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@25uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
应用领域
- 高频降压转换器的控制MOSFET-高频降压转换器的同步MOSFET