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IRFIZ44NPBF
HEXFET功率MOSFET，高压隔离2.5KVRMS
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，在每单位硅面积上实现极低的导通电阻。结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。TO-220 Full Pak消除了商业-工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片和外部散热片之间具有低热阻。这种隔离效果相当于标准TO-220产品使用100微米云母屏障。Fullpak使用单个夹子或单个螺丝固定在散热片上。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFIZ44NPBF
- 商品编号
- C537927
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，以实现每单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 TO - 220全塑封封装在商业 - 工业应用中无需额外的绝缘硬件。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片和外部散热器之间具有低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。全塑封封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅