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IRFR15N20DTRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:17A
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- 描述
- 特性：低栅极到漏极电荷，可降低开关损耗。 完全表征的电容，包括有效输出电容Coss，便于设计。 完全表征的雪崩电压和电流。应用：高频DC-DC转换器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR15N20DTRPBF
- 商品编号
- C537951
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ P7 是一个经过优化的平台，专门针对消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
商品特性
- 由于极低的品质因数（导通电阻 RDS(on) 与栅极电荷 Q_g 的乘积以及导通电阻 RDS(on) 与输出电容能量 E_oss 的乘积），损耗极低
- 出色的热性能
- 集成 ESD 保护二极管
- 低开关损耗（输出电容能量 E_oss）
- 产品符合 JEDEC 标准进行验证
应用领域
- 反激拓扑，例如用于充电器、适配器、照明应用
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