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IRFR2307ZTRLPBF
1个N沟道 耐压:75V 电流:42A
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- 描述
- 该HEXFET功率MOSFET采用最新处理技术，实现了极低的每硅面积导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR2307ZTRLPBF
- 商品编号
- C537957
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,32A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |