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IRFL4105TRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:3.7A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFL4105TRPBF
- 商品编号
- C537929
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,3.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的工艺技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计与其他SOT或SOIC封装一样，便于自动拾取和贴装，此外，由于散热片的焊盘增大，还具有改善热性能的优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可达1.0W。
商品特性
~~- 表面贴装-先进工艺技术-超低导通电阻-动态dv/dt额定值-快速开关-全雪崩额定-无铅