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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。 TO - 220全塑封封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料具有高隔离能力，且在散热片和外部散热器之间具有低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母隔板。全塑封封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片到引脚的爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅