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IRFH4253DTRPBF
2个N沟道 耐压:25V 电流:35A
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- 描述
- 特性：控制和同步MOSFET集成在一个封装中。 低电荷控制MOSFET（典型值10nC）。 低RDSON同步MOSFET（<1.45mΩ）。 Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管。 符合RoHS标准，无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：同步降压转换器的控制和同步MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH4253DTRPBF
- 商品编号
- C537886
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.314nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
-用于同步降压转换器的控制和同步MOSFET