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IRFH8201TRPBF
1个N沟道 耐压:25V 电流:49A
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- 描述
- 特性：低RDSon (<0.95mΩ)。 低至PCB的热阻 (<0.8℃/W)。 低外形 (<0.9mm)。 行业标准引脚排列。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无卤。应用：OR-ing MOSFET用于12V（典型值）总线浪涌电流。 电池供电的直流电机逆变器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH8201TRPBF
- 商品编号
- C537900
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 850pF@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- 用于12V（典型值）总线浪涌电流的或门MOSFET
- 电池供电的直流电机逆变器