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IRFH7084TRPBF
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 描述
- 特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。 同步整流应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFH7084TRPBF
- 商品编号
- C537895
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 156W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 940pF |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区 (SOA)
- 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
- 无铅，符合 RoHS 标准
应用领域
- 半桥和全桥拓扑结构
- 同步整流器应用
- 谐振模式电源
- DC/DC 转换器
- DC/AC 逆变器