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IRFB4110GPBF
HEXFET功率MOSFET
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- 描述
- 特性：改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。 无铅。 无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB4110GPBF
- 商品编号
- C537859
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
~~- 改善栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性-全面表征电容和雪崩安全工作区-增强体二极管dV/dt和dI/dt能力-无铅-无卤素
应用领域
- 开关电源中的高效同步整流-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路