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IRF9383MTRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:22A 160A
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- 描述
- IRF9383MTRPbF将最新的HEXFET P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9383MTRPBF
- 商品编号
- C537848
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.122667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF9383MTRPbF将最新的HEXFET® P沟道功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET®封装相结合，在具有SO-8封装尺寸且厚度仅为0.6 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN-1035中的制造方法和工艺时，DirectFET®封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET®封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，相较于之前的最佳热阻性能提升了80%。
商品特性
- 环保产品
- 符合RoHS标准,无铅、无溴且无卤素
- 共漏极P沟道MOSFET,集成度高且导通电阻(RDS(on))极低
应用领域
-输入电源或电池应用的隔离开关-逆变器应用的高端开关