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IRFB61N15DPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFB61N15DPBF

1个N沟道 耐压:150V 电流:60A

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商品型号
IRFB61N15DPBF
商品编号
C537867
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
3.54克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
耗散功率(Pd)330W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5.5V
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
输入电容(Ciss)3.47nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台,专为消费市场中对成本敏感的应用而定制,如充电器、适配器、照明、电视等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势,同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。这项技术符合最高效率标准,支持高功率密度,使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

  • 低栅极至漏极电荷,降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效输出电容 COSS,简化设计
  • 全面表征雪崩电压和电流

应用领域

  • 高频 DC-DC 转换器
  • 电机控制
  • 不间断电源

数据手册PDF