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IRFB4228PBF
耐压:150V 电流:83A
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- 描述
- 这款HEXFET@功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和旁路开关应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFB4228PBF
- 商品编号
- C537861
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 83A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,33A | |
| 耗散功率(Pd) | 330W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |