温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7779L2TRPBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:67A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IRF7779L2TR/TR1PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在占位面积小于D²PAK且高度仅为0.7 mm的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7779L2TRPBF
- 商品编号
- C537828
- 商品封装
- MG-WDSON-11
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 67A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 97nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
IRF7779L2TR/TR1PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在尺寸小于D²PAK且高度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率。 IRF7779L2TR/TR1PbF针对高频开关和同步整流应用进行了优化。该器件降低的总损耗与高水平的热性能相结合，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能电源转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准，无卤
- 无铅（可承受高达260°C回流焊）
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容
- 符合工业标准
应用领域
- 高性能隔离式转换器初级开关插座-高频开关和同步整流应用-高性能电源转换器