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IRF8301MTRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:34A
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- 描述
- IRF8301MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 SO - 8 或 5x6mm PQFN 封装尺寸且高度仅为 0.7mm 的封装中实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中有关制造方法和工艺的说明时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了 80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF8301MTRPBF
- 商品编号
- C537836
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF8301MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8或PQFN 5x6mm封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现了极低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，将以往最佳热阻降低80%。 IRF8301MPbF在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具有超低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低和极高的载流能力使该产品非常适合用于电动工具。
商品特性
- 超低的RDS(on)
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高速开关或大电流开关（电动工具）进行优化
- 低传导损耗和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
应用领域
- 电动工具