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IRF7820TRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:3.7A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7820TRPBF
- 商品编号
- C537832
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
C7 GOLD系列（G7）首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及DDPAK封装改进后的热性能相结合，为高达3kW的PFC等大电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件（SMD）解决方案。
商品特性
- 在 VGS 为 10 V 时,RDS(on) 极低
- 栅极电荷低
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 最大栅极额定电压 VGS 为 20 V
应用领域
- 笔记本处理器电源用同步 MOSFET
- 网络系统中隔离式 DC-DC 转换器用同步整流 MOSFET