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IRF7530TRPBF
2个N沟道 耐压:20V 电流:5.4A
- 描述
- 新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名遐迩的坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极为高效可靠的器件，可广泛应用于各类场景。新型Micro8封装的占位面积仅为标准SO - 8封装的一半
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7530TRPBF
- 商品编号
- C537818
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.105714克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
新型沟槽式HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET闻名的坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 新型Micro8封装的占位面积仅为标准SO - 8封装的一半。这使得Micro8成为印刷电路板空间有限应用场景的理想选择。Micro8的低外形高度（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 双N沟道MOSFET
- 超小尺寸SOIC封装
- 低外形高度（<1.1mm）
- 无铅