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IRF7748L1TRPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:148A
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- 描述
- IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7748L1TRPBF
- 商品编号
- C537824
- 商品封装
- MG-WDSON-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRF7748L1TRPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在封装尺寸小于D2PAK且高度仅为0.7 mm的情况下实现了极低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率。 IRF7748L1TRPbF针对高频开关和同步整流应用进行了优化。该器件总损耗的降低与高水平的热性能相结合，实现了高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使该器件非常适合高性能电源转换器。
应用领域
- 非常适合高性能隔离式转换器初级开关插座-针对同步整流进行了优化