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IRF7306TRPBF
2个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。SO - 8通过定制的引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7306TRPBF
- 商品编号
- C537809
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,1.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻。这一优势，加上HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种领域。 通过定制引线框架对SO - 8封装进行了改进，增强了热特性和多芯片集成能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时，可大幅减少电路板占用空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。
商品特性
~~- 超低导通电阻-表面贴装-动态dv/dt额定值-快速开关-无铅