温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7341GTRPBF
2个N沟道 耐压:55V 电流:5.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些采用双 SO-8 封装的 HEXFET 功率 MOSFET 运用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这些 HEXFET 功率 MOSFET 的其他特性包括 175°C 的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于各种其他应用的高效且可靠的器件
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7341GTRPBF
- 商品编号
- C537810
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V,4.42A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些采用双SO-8封装的HEXFET功率MOSFET利用最新的工艺技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这些HEXFET功率MOSFET的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些优势相结合，使该设计成为适用于各种其他应用的高效可靠器件。 SO-8封装的175°C额定温度提供了更好的热性能，增加了安全工作区，双MOSFET管芯能力使其非常适合各种功率应用。这种双表面贴装SO-8封装可显著减少电路板空间，也提供卷带包装形式。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 双N沟道MOSFET
- 超低导通电阻
- 175°C工作温度
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅
- 无卤