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IRF6641TRPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:26A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6641TRPBF
- 商品编号
- C537789
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。 IRF6641PbF器件采用了DirectFET封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFET封装技术具有更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少快速电流瞬变时的电压振铃来改善EMI性能。如果遵循应用笔记AN - 1035中的制造方法和工艺，DirectFET封装与电源应用中现有的布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装还支持双面散热，以最大限度地提高电力系统中的热传递，改善热阻和功率耗散。这些特性相结合，使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 最新的MOSFET硅技术,针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低导通电阻RDS(on),提高效率
- 低栅极电荷Qg,改善THD并提高效率
- 低反向恢复电荷Qrr,改善THD并降低EMI
- 低封装杂散电感,减少振铃并降低EMI
- 在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达400W的功率
- 支持双面散热
- 与现有的表面贴装技术兼容
- 符合RoHS标准,无卤
- 无铅(可承受高达260°C的回流焊)