温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF6646TRPBF
1个N沟道 耐压:80V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- IRF6646PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6646TRPBF
- 商品编号
- C537791
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF6646PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，比之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6646PbF针对隔离式DC - DC应用中的初级侧桥拓扑进行了优化，适用于48V(± 10%)或36V至60V ETSI输入电压范围的系统，同时也是稳压隔离式DC - DC拓扑中次级侧同步整流的理想选择。该器件的总损耗降低，同时具备高水平的热性能，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅（可承受高达260°C回流焊）
- 专用MOSFET
- 适用于高性能隔离式转换器初级开关插座
- 针对同步整流进行优化
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 薄型（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容