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IRF6662TRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:8.3A
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- 描述
- IRF6662PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且厚度仅为0.7毫米的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可在电源系统中实现最大的热传递，将此前最佳的热阻降低了80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6662TRPBF
- 商品编号
- C537792
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V,8.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
IRF6662PbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在尺寸与SO - 8相同且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，较之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6662PbF针对隔离式DC - DC应用中的初级侧桥拓扑、宽范围通用输入电信应用（36V - 75V）以及稳压DC - DC拓扑中的次级侧同步整流进行了优化。该器件的总损耗降低，同时具备高水平的热性能，可实现高效率和低温运行，这对于提高系统可靠性至关重要，使其成为高性能隔离式DC - DC转换器的理想选择。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无铅（可承受高达260°C的回流焊）
- 专用MOSFET
- 适用于高性能隔离式转换器初级开关插座
- 针对同步整流进行优化
- 低传导损耗
- 高Cdv/dt抗扰度
- 低外形（<0.7mm）
- 支持双面散热
- 与现有表面贴装技术兼容