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IRF6727MTRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:32A 180A
- 描述
- IRF6727MPbF 将最新的 HEXFET 功率 MOSFET 硅技术与先进的 DirectFET™ 封装相结合，在具有 MICRO - 8 封装尺寸且高度仅为 0.7 毫米的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记 AN - 1035 中的制造方法和工艺时，DirectFET 封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB 组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET 封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递，将以往最佳热阻降低 80%
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6727MTRPBF
- 商品编号
- C537801
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A；180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W；89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.19nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
IRF6727MPbF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET™封装相结合，在具有MICRO - 8尺寸且厚度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电力系统中的热传递效率，将之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6727MPbF在低电阻和低电荷之间实现了平衡，同时具有超低的封装电感，从而降低了传导和开关损耗。总损耗的降低使该产品非常适合为新一代高频运行处理器供电的高效DC - DC转换器。IRF6727MPbF针对同步降压12伏总线转换器中的关键参数（包括Rds(on)和栅极电荷）进行了优化，以尽量减少损耗。
商品特性
- 薄型（<0.7 mm）
- 支持双面冷却
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
应用领域
- CPU核心DC-DC转换器-同步FET和一些控制FET应用