IRF6797MTRPBF
1个N沟道 耐压:25V 电流:36A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF6797MTRPBF
- 商品编号
- C537804
- 商品封装
- MG-WDSON-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.270486克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.79nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 720pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
IRF6797MPbF将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7 mm的封装中实现了最低的导通电阻。DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大限度地提高电源系统中的热传递效率，相比之前的最佳热阻降低了80%。 IRF6797MPbF在实现行业领先的导通电阻的同时，将栅极电荷降至最低，并具有超低的封装电感，从而降低了传导和开关损耗。该器件集成了肖特基二极管，可降低体漏二极管的反向恢复电荷Qrr，进一步减少同步降压电路中的损耗。这些降低的损耗使该产品非常适合为大电流负载（如新一代微处理器）供电的高频/高效DC - DC转换器。IRF6797MPbF针对同步降压转换器同步FET插槽中的关键参数进行了优化。
商品特性
- 符合RoHS标准，无铅和溴
- 集成单片肖特基二极管
- 低外形（<0.7 mm）
- 支持双面散热
- 超低封装电感
- 针对高频开关进行优化
- 低传导和开关损耗
- 与现有表面贴装技术兼容
- 100%进行Rg测试
应用领域
- CPU核心DC-DC转换器-同步降压转换器的同步FET插槽